D882M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D882M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-252-2L

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D882M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D882M даташит

 ..1. Size:1219K  jiangsu
 d882m.pdf pdf_icon

D882M

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors D882M TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Power Dissipation 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3 .EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle

Другие транзисторы: D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H, 2SA1837, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G