D965SS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D965SS  📄📄 

Código: D65

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 230

Encapsulados: SOT-23

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D965SS datasheet

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D965SS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D965SS / D965ASS NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit ORDERING INFORMATION Order Number P

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D965SS

FD965S TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage SOT-23 Large Collector Power Dissipation and Current 3 2 Mini Power Type Package 1 1. BASE 965 2.EMITTER 3.COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base V

Otros transistores... D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H, D882M, D965ASS, D965-R, BD135, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015