Справочник транзисторов. D965SS

 

Биполярный транзистор D965SS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D965SS
   Маркировка: D65
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для D965SS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D965SS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  utc
 d965ss.pdf pdf_icon

D965SS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D965SS / D965ASS NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS : Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS : Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit ORDERING INFORMATION Order Number P

 9.1. Size:3119K  fuxinsemi
 fd965s.pdf pdf_icon

D965SS

FD965S TRANSISTOR (NPN)FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage SOT-23 Large Collector Power Dissipation and Current 32 Mini Power Type Package 11. BASE : 9652.EMITTER3.COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы... D45H8G , D45VH10G , D471A , D596 , D882H , D882M , D965ASS , D965-R , BD135 , D965-T , D965V , DBC846BPDW1T1G , DBC847BPDW1T1G , DBC847CPDW1T1G , DBC848BPDW1T1G , DBC848CPDW1T1G , DBMT9015 .

 

 
Back to Top

 


 
.