D965SS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: D965SS  📄📄 

Маркировка: D65

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для D965SS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D965SS даташит

 ..1. Size:189K  utc
 d965ss.pdf pdf_icon

D965SS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD D965SS / D965ASS NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR FEATURES * Collector current up to 5A * D965SS Collector-Emitter voltage up to 20 V * D965ASS Collector-Emitter voltage up to 30 V APPLICATIONS * Audio amplifier * Flash unit of camera * Switching circuit ORDERING INFORMATION Order Number P

 9.1. Size:3119K  fuxinsemi
 fd965s.pdf pdf_icon

D965SS

FD965S TRANSISTOR (NPN) FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage SOT-23 Large Collector Power Dissipation and Current 3 2 Mini Power Type Package 1 1. BASE 965 2.EMITTER 3.COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VEBO Emitter-Base V

Другие транзисторы: D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H, D882M, D965ASS, D965-R, BD135, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015