DBC847BPDW1T1G Todos los transistores

 

DBC847BPDW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DBC847BPDW1T1G
   Código: 3F
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

DBC847BPDW1T1G Datasheet (PDF)

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DBC847BPDW1T1G

Dual General Purpose TransistorsDual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)DBC846BPDW1T1GDBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isDBC847CPDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.DBC848BPDW1T1GWe declare that the material of product compliance wit

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BF283 | D45H11G | 2SC414 | 2SC1622D17 | ZTX223L | RCA126 | ZTX3709L

 

 
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