DBC847BPDW1T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DBC847BPDW1T1G  📄📄 

Маркировка: 3F

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-363

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для DBC847BPDW1T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DBC847BPDW1T1G даташит

 ..1. Size:500K  dxc
 dbc846bpdw1t1g dbc847bpdw1t1g dbc847cpdw1t1g dbc848bpdw1t1g dbc848cpdw1t1g.pdf pdf_icon

DBC847BPDW1T1G

Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary) DBC846BPDW1T1G DBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT 363/SC 88 which is DBC847CPDW1T1G designed for low power surface mount applications. DBC848BPDW1T1G We declare that the material of product compliance wit

Другие транзисторы: D882H, D882M, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, TIP127, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ, DC8050, DC9018