DBC848CPDW1T1G Todos los transistores

 

DBC848CPDW1T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DBC848CPDW1T1G
   Código: 13L
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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DBC848CPDW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:500K  dxc
 dbc846bpdw1t1g dbc847bpdw1t1g dbc847cpdw1t1g dbc848bpdw1t1g dbc848cpdw1t1g.pdf pdf_icon

DBC848CPDW1T1G

Dual General Purpose TransistorsDual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)DBC846BPDW1T1GDBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isDBC847CPDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.DBC848BPDW1T1GWe declare that the material of product compliance wit

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History: 2SB1308R | KSA1150 | 2SC1580 | KTC4520F | KTC5707L | 2SB817D | 2SD1185

 

 
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