Биполярный транзистор DBC848CPDW1T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DBC848CPDW1T1G
Маркировка: 13L
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-363
Аналоги (замена) для DBC848CPDW1T1G
DBC848CPDW1T1G Datasheet (PDF)
..1. Size:500K dxc
dbc846bpdw1t1g dbc847bpdw1t1g dbc847cpdw1t1g dbc848bpdw1t1g dbc848cpdw1t1g.pdf
dbc846bpdw1t1g dbc847bpdw1t1g dbc847cpdw1t1g dbc848bpdw1t1g dbc848cpdw1t1g.pdf
Dual General Purpose TransistorsDual General Purpose TransistorsNPN/PNP Duals (Complimentary)DBC846BPDW1T1GDBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isDBC847CPDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.DBC848BPDW1T1GWe declare that the material of product compliance wit
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050