DC8050 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DC8050
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO-92
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DC8050 Datasheet (PDF)
dc8050.pdf

DC COMPONENTS CO., LTD.DC8050DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for use in 2W output amplifier of portableradios in class B push-pull operation.TO-92Pinning.190(4.83)1 = Emitter.170(4.33)2 = Base2oTyp3 = Collector.190(4.83).170(4.33)2oTypAbsolute Maximum Ratings(TA=25oC).500Characterist
Otros transistores... DBC846BPDW1T1G , DBC847BPDW1T1G , DBC847CPDW1T1G , DBC848BPDW1T1G , DBC848CPDW1T1G , DBMT9015 , DC0150ADJ , DC0150BDJ , TIP127 , DC9018 , DCP55-16-13 , CHIMX1GP , CHIMX2GP , CHIMX3GP , CHP69GP , CHRT5993PT , CHRT5993TGP .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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