DC8050 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DC8050 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 85
Encapsulados: TO-92
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DC8050 datasheet
dc8050.pdf
DC COMPONENTS CO., LTD. DC8050 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist
Otros transistores... DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ, TIP42, DC9018, DCP55-16-13, CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP, CHP69GP, CHRT5993PT, CHRT5993TGP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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