DC8050 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DC8050  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для DC8050

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DC8050 даташит

 ..1. Size:62K  dc components
 dc8050.pdf pdf_icon

DC8050

DC COMPONENTS CO., LTD. DC8050 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pull operation. TO-92 Pinning .190(4.83) 1 = Emitter .170(4.33) 2 = Base 2oTyp 3 = Collector .190(4.83) .170(4.33) 2oTyp Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .500 Characterist

Другие транзисторы: DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, DBMT9015, DC0150ADJ, DC0150BDJ, TIP42, DC9018, DCP55-16-13, CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP, CHP69GP, CHRT5993PT, CHRT5993TGP