DK100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO-3
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DK100 datasheet
dk100.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK100 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switc
3dk100.pdf
3DK100 NPN A B C PCM TC=25 100 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 20 15 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 15 10 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=6V 0.1 A ICEO VCE=6V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A VBEs
Otros transistores... CHTA42XGP , CHTA42ZGP , CHTA44ZGP , CHTA64ZGP , CHTA92LGP , CHTA92XGP , CHTA92ZGP , DK10 , NJW0281G , DK101 , DK11 , DK150 , DK151 , DK200 , DK201 , DK30 , DK300 .
History: 2N167A
History: 2N167A
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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