DK100 - описание и поиск аналогов

 

DK100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DK100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK100 даташит

 ..1. Size:25K  shaanxi
 dk100.pdf pdf_icon

DK100

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK100 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switc

 0.1. Size:182K  china
 3dk100.pdf pdf_icon

DK100

3DK100 NPN A B C PCM TC=25 100 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 20 15 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 15 10 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=6V 0.1 A ICEO VCE=6V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A VBEs

Другие транзисторы: CHTA42XGP, CHTA42ZGP, CHTA44ZGP, CHTA64ZGP, CHTA92LGP, CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, NJW0281G, DK101, DK11, DK150, DK151, DK200, DK201, DK30, DK300

 

 

 

 

↑ Back to Top
.