Биполярный транзистор DK100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DK100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO-3
DK100 Datasheet (PDF)
dk100.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK100NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switc
3dk100.pdf
3DK100 NPN A B C PCM TC=25 100 mW ICM 30 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 20 15 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 15 10 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=6V 0.1 A ICEO VCE=6V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A VBEs
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050