DK11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DK11
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.01 W
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.002 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO-3
Búsqueda de reemplazo de DK11
DK11 Datasheet (PDF)
dk11.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK11, DK31, NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards: GJB33 -85, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching
3dk11.pdf

3DK11 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 250 V V(BR)CEO ICE=3mA 200 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICEO VCE=160V 1.5 mA IEBO VEB=5V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=12A V IB=1.5A VCEsat 1.0
Otros transistores... CHTA44ZGP , CHTA64ZGP , CHTA92LGP , CHTA92XGP , CHTA92ZGP , DK10 , DK100 , DK101 , TIP2955 , DK150 , DK151 , DK200 , DK201 , DK30 , DK300 , DK301 , DK31 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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