DK11 Todos los transistores

 

DK11 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DK11
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.01 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.002 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO-3
     - Selección de transistores por parámetros

 

DK11 Datasheet (PDF)

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DK11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK11, DK31, NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards: GJB33 -85, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching

 0.1. Size:118K  china
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DK11

3DK11 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55~150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 250 V V(BR)CEO ICE=3mA 200 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICEO VCE=160V 1.5 mA IEBO VEB=5V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=12A V IB=1.5A VCEsat 1.0

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
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