DK11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DK11  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.01 W

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.002 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO-3

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DK11 datasheet

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DK11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK11, DK31, NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33 -85, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching

 0.1. Size:118K  china
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DK11

3DK11 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 250 V V(BR)CEO ICE=3mA 200 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICEO VCE=160V 1.5 mA IEBO VEB=5V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=12A V IB=1.5A VCEsat 1.0

Otros transistores... CHTA44ZGP, CHTA64ZGP, CHTA92LGP, CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, DK100, DK101, 2SD669A, DK150, DK151, DK200, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31