DK11 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK11  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.01 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.002 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK11

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK11 даташит

 ..1. Size:31K  shaanxi
 dk11.pdf pdf_icon

DK11

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK11, DK31, NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33 -85, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching

 0.1. Size:118K  china
 3dk11.pdf pdf_icon

DK11

3DK11 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 250 V V(BR)CEO ICE=3mA 200 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICEO VCE=160V 1.5 mA IEBO VEB=5V 1.0 mA VBEsat 1.5 IC=12A V IB=1.5A VCEsat 1.0

Другие транзисторы: CHTA44ZGP, CHTA64ZGP, CHTA92LGP, CHTA92XGP, CHTA92ZGP, DK10, DK100, DK101, 2SD669A, DK150, DK151, DK200, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31