FMBS2383 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMBS2383
Código: 2383
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.63 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SSOT-6
Búsqueda de reemplazo de FMBS2383
FMBS2383 Datasheet (PDF)
fmbs2383.pdf

April 2011FMBS2383NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Power Amplifier Collector-Emitter Voltage : VCEO=160V Current Gain Bandwidth Product : fT=120MHzE1 6CC2 5BCC3 4SuperSOTTM-6Marking : 2383Absolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage
Otros transistores... DSCF001 , DSCQ001 , DSS4160DS , DSS4160T , DSS5160T , DT430 , L2SA1235FLT1G , L2SA1577PT1G , 2SC2482 , FMBT5401LG , GCA1943T , GMA6801 , GMC6802 , KSR16 , KSR16-HF , KSS1C200LT1G , KST50 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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