Биполярный транзистор FMBS2383 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMBS2383
Маркировка: 2383
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSOT-6
FMBS2383 Datasheet (PDF)
..1. Size:250K fairchild semi
fmbs2383.pdf
fmbs2383.pdf
April 2011FMBS2383NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Power Amplifier Collector-Emitter Voltage : VCEO=160V Current Gain Bandwidth Product : fT=120MHzE1 6CC2 5BCC3 4SuperSOTTM-6Marking : 2383Absolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
