FMBS2383 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FMBS2383

Маркировка: 2383

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SSOT-6

 Аналоги (замена) для FMBS2383

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBS2383 даташит

 ..1. Size:250K  fairchild semi
 fmbs2383.pdf pdf_icon

FMBS2383

April 2011 FMBS2383 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Power Amplifier Collector-Emitter Voltage VCEO=160V Current Gain Bandwidth Product fT=120MHz E 1 6 C C 2 5 B C C 3 4 SuperSOTTM-6 Marking 2383 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 160 V VCEO Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы: DSCF001, DSCQ001, DSS4160DS, DSS4160T, DSS5160T, DT430, L2SA1235FLT1G, L2SA1577PT1G, 2N2907, FMBT5401LG, GCA1943T, GMA6801, GMC6802, KSR16, KSR16-HF, KSS1C200LT1G, KST50