Биполярный транзистор FMBS2383 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FMBS2383
Маркировка: 2383
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SSOT-6
FMBS2383 Datasheet (PDF)
fmbs2383.pdf
April 2011FMBS2383NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Power Amplifier Collector-Emitter Voltage : VCEO=160V Current Gain Bandwidth Product : fT=120MHzE1 6CC2 5BCC3 4SuperSOTTM-6Marking : 2383Absolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050