Справочник транзисторов. FMBS2383

 

Биполярный транзистор FMBS2383 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: FMBS2383
   Маркировка: 2383
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.63 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SSOT-6
 

 Аналог (замена) для FMBS2383

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FMBS2383 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  fairchild semi
 fmbs2383.pdf pdf_icon

FMBS2383

April 2011FMBS2383NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Power Amplifier Collector-Emitter Voltage : VCEO=160V Current Gain Bandwidth Product : fT=120MHzE1 6CC2 5BCC3 4SuperSOTTM-6Marking : 2383Absolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 160 VVCEO Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы... DSCF001 , DSCQ001 , DSS4160DS , DSS4160T , DSS5160T , DT430 , L2SA1235FLT1G , L2SA1577PT1G , 2SC2482 , FMBT5401LG , GCA1943T , GMA6801 , GMC6802 , KSR16 , KSR16-HF , KSS1C200LT1G , KST50 .

History: FMMT4140 | BCR146W

 

 
Back to Top

 


 
.