F8050HQLG Todos los transistores

 

F8050HQLG . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F8050HQLG
   Código: 1HC
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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F8050HQLG Datasheet (PDF)

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F8050HQLG

F8050HQLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineF8050HQLG TRANSISTOR NPN SOT-23Features Power dissipation PCM : 0.3 WTamb=25 1. BASE Collector current2. EMITTER ICM : 1.5 A 3. COLLECTOR Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJTstg: -55 to +150 Device Mark

 8.1. Size:412K  first silicon
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F8050HQLG

F8050HPLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineF8050HPLG TRANSISTOR NPN SOT-23Features Complimentary to F8550HQLG Collector Current: IC=0.5A 1. BASE 2. EMITTER Marking: 1HA3. COLLECTOR Maximum Ratings(Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-

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