F8050HQLG Todos los transistores

 

F8050HQLG Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F8050HQLG

Código: 1HC

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-23

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F8050HQLG datasheet

 ..1. Size:465K  first silicon
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F8050HQLG

F8050HQLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline F8050HQLG TRANSISTOR NPN SOT-23 Features Power dissipation PCM 0.3 W Tamb=25 1. BASE Collector current 2. EMITTER ICM 1.5 A 3. COLLECTOR Collector-base voltage V(BR)CBO 40 V Operating and storage junction temperature range TJ Tstg -55 to +150 Device Mark

 8.1. Size:412K  first silicon
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F8050HQLG

F8050HPLG Plastic-Encapsulate Transistors Simplified outline F8050HPLG TRANSISTOR NPN SOT-23 Features Complimentary to F8550HQLG Collector Current IC=0.5A 1. BASE 2. EMITTER Marking 1HA 3. COLLECTOR Maximum Ratings(T a=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-

Otros transistores... EMZ51 , EMZ52 , EMZ7 , ETF81-050 , ETG81-050A , ETL81-050 , ETN35-030 , F8050HPLG , 2N3906 , FMB2907A , EMT52 , EMX18 , EMX1DXV6T1G , EMX1DXV6T5G , EMX1FHA , CHEMF17GP , CHEMF18GP .

History: 2SD1093 | 2SD1081 | 2SD1353V | 2SD1353GR

 

 

 

 

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