Справочник транзисторов. F8050HQLG

 

Биполярный транзистор F8050HQLG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: F8050HQLG
   Маркировка: 1HC
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23
 

 Аналог (замена) для F8050HQLG

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

F8050HQLG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  first silicon
 f8050hqlg.pdf pdf_icon

F8050HQLG

F8050HQLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineF8050HQLG TRANSISTOR NPN SOT-23Features Power dissipation PCM : 0.3 WTamb=25 1. BASE Collector current2. EMITTER ICM : 1.5 A 3. COLLECTOR Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJTstg: -55 to +150 Device Mark

 8.1. Size:412K  first silicon
 f8050hplg.pdf pdf_icon

F8050HQLG

F8050HPLGPlastic-Encapsulate TransistorsSimplified outlineF8050HPLG TRANSISTOR NPN SOT-23Features Complimentary to F8550HQLG Collector Current: IC=0.5A 1. BASE 2. EMITTER Marking: 1HA3. COLLECTOR Maximum Ratings(Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-

Другие транзисторы... EMZ51 , EMZ52 , EMZ7 , ETF81-050 , ETG81-050A , ETL81-050 , ETN35-030 , F8050HPLG , 13003 , FMB2907A , EMT52 , EMX18 , EMX1DXV6T1G , EMX1DXV6T5G , EMX1FHA , CHEMF17GP , CHEMF18GP .

History: 2N6059 | 2SC1552 | BD877

 

 
Back to Top

 


 
.