DMBT8550 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMBT8550

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-23

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DMBT8550 datasheet

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DMBT8550

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 .045(1.15) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .034(0.85) .091(2.30)

 9.1. Size:823K  dc components
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DMBT8550

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT8050 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(2.80) 3 = Collector .047(1.20) .083(2.10) 1 2 .045(1.20) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .034(0.90) .091(2.30) .0

Otros transistores... DMBT2907A, DMBT3904, DMBT3906, DMBT4401, DMBT4403, DMBT5401, DMBT5551, DMBT8050, 431, DMBT9012, DMBT9013, DMBT9014, DMBT9018, DMBTA42, DMBTA44, DMC20101, DMC201A0