DMBT8550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMBT8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DMBT8550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMBT8550 даташит

 ..1. Size:77K  dc components
 dmbt8550.pdf pdf_icon

DMBT8550

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT8550 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 .045(1.15) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .034(0.85) .091(2.30)

 9.1. Size:823K  dc components
 dmbt8050.pdf pdf_icon

DMBT8550

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT8050 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general purpose amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(2.80) 3 = Collector .047(1.20) .083(2.10) 1 2 .045(1.20) Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .034(0.90) .091(2.30) .0

Другие транзисторы: DMBT2907A, DMBT3904, DMBT3906, DMBT4401, DMBT4403, DMBT5401, DMBT5551, DMBT8050, 431, DMBT9012, DMBT9013, DMBT9014, DMBT9018, DMBTA42, DMBTA44, DMC20101, DMC201A0