Биполярный транзистор DMBT8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: DMBT8550
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
DMBT8550 Datasheet (PDF)
dmbt8550.pdf
DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT8550DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for general purpose amplifier applications.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 3.063(1.60) .108(0.65)3 = Collector.055(1.40) .089(0.25)1 2.045(1.15)Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).034(0.85).091(2.30)
dmbt8050.pdf
DC COMPONENTS CO., LTD.DMBT8050DISCRETE SEMICONDUCTORSRTECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionDesigned for general purpose amplifier applications.SOT-23.020(0.50)Pinning.012(0.30)1 = Base 2 = Emitter 3.063(1.60) .108(2.80)3 = Collector.047(1.20) .083(2.10)1 2.045(1.20)Absolute Maximum Ratings(TA=25oC).034(0.90).091(2.30).0
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050