L2SD1781KQLT1G Todos los transistores

 

L2SD1781KQLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: L2SD1781KQLT1G
   Código: AFQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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L2SD1781KQLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  lrc
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L2SD1781KQLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G SeriesS-L2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)L2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compact2package.3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB4)We declare that the material of product compliance with RoHS requireme

 5.1. Size:117K  lrc
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L2SD1781KQLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)S-L2SD1781KQLT1G SeriesL2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)1(IC / IB = 500mA / 50mA)2) High current capacity in compact2package.SOT-23 /TO-236AB3) Complements the L2SB1197KXLT1G4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirem

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History: PN5131

 

 
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