Биполярный транзистор L2SD1781KQLT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: L2SD1781KQLT1G
Маркировка: AFQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для L2SD1781KQLT1G
L2SD1781KQLT1G Datasheet (PDF)
l2sd1781kqlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G SeriesS-L2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)L2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)(IC / IB = 500mA / 50mA)12) High current capacity in compact2package.3) Complements the L2SB1197KXLT1G SOT-23 /TO-236AB4)We declare that the material of product compliance with RoHS requireme
l2sd1781krlt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Medium Power TransistorL2SD1781KQLT1G Series(32V, 0.8A)S-L2SD1781KQLT1G SeriesL2SD1781KQLT1GFFeatures31) Very low VCE(sat).VCE(sat) t 0.4 V (Typ.)1(IC / IB = 500mA / 50mA)2) High current capacity in compact2package.SOT-23 /TO-236AB3) Complements the L2SB1197KXLT1G4)We declare that the material of product compliance with RoHS requirem
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
