LBCW65ALT1G Todos los transistores

 

LBCW65ALT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LBCW65ALT1G
   Código: EA
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

LBCW65ALT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:69K  lrc
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LBCW65ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconLBCW65ALT1GFeatruesS-LBCW65ALT1GWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmit

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History: BU215 | BF393 | ZTX454 | DTA024EEB | DRC3A43X | KRC407V

 

 
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