LBCW65ALT1G Todos los transistores

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LBCW65ALT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LBCW65ALT1G

Código: EA

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 75

Empaquetado / Estuche: SOT-23

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LBCW65ALT1G Datasheet (PDF)

1.1. lbcw65alt1g.pdf Size:69K _upd

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBCW65ALT1G Featrues S-LBCW65ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector–Emit

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