LBCW65ALT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LBCW65ALT1G
Código: EA
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de LBCW65ALT1G
LBCW65ALT1G Datasheet (PDF)
lbcw65alt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconLBCW65ALT1GFeatruesS-LBCW65ALT1GWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3MAXIMUM RATINGS1Rating Symbol Value Unit2CollectorEmit
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History: 2N726 | KSA1201-0 | BD178-10 | NTE248 | 2N773 | NSD457 | KSA1241O
History: 2N726 | KSA1201-0 | BD178-10 | NTE248 | 2N773 | NSD457 | KSA1241O



Liste
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