LBCW65ALT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LBCW65ALT1G

Маркировка: EA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для LBCW65ALT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBCW65ALT1G даташит

 ..1. Size:69K  lrc
 lbcw65alt1g.pdf pdf_icon

LBCW65ALT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors NPN Silicon LBCW65ALT1G Featrues S-LBCW65ALT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emit

Другие транзисторы: LBC817-16DPMT1G, LBC817-25DMT1G, LBC817-40DMT1G, LBC817-40DPMT1G, LBC846ADW1T1G, LBC847CPDW1T1G, LBC848AWT1G, LBC858CWT1G, 2SC2383, M54522WP, M54530FP, M54530P, M54531FP, M54531P, M54531WP, M54532FP, M54532P