RT3A66M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3A66M

Código: AHE

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 150 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT-363

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RT3A66M datasheet

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RT3A66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A66M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify Application Silicon Pnp Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3A66M is a sillicon PNP epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 FEATURE 1.25 High Vce

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