RT3A66M Todos los transistores

 

RT3A66M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3A66M
   Código: AHE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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RT3A66M Datasheet (PDF)

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RT3A66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A66M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify ApplicationSilicon Pnp Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3A66M is a sillicon PNP epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 FEATURE 1.25 High Vce

Otros transistores... MAG9413 , MBT2222ADW1T1G , MBT35200MT1G , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , D882 , RT3A77M , RT3C66M , RT3C77M , RT3CLLM , RT3CRRM , RT3CXXM , PBSM5240PF , PBSM5240PFH .

History: H5342 | NB113FI | 2N1612 | 2SA1476 | 3CK5323

 

 
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