Справочник транзисторов. RT3A66M

 

Биполярный транзистор RT3A66M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3A66M
   Маркировка: AHE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для RT3A66M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3A66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  isahaya
 rt3a66m.pdf pdf_icon

RT3A66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A66M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify ApplicationSilicon Pnp Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3A66M is a sillicon PNP epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 FEATURE 1.25 High Vce

Другие транзисторы... MAG9413 , MBT2222ADW1T1G , MBT35200MT1G , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , D882 , RT3A77M , RT3C66M , RT3C77M , RT3CLLM , RT3CRRM , RT3CXXM , PBSM5240PF , PBSM5240PFH .

History: 2SD685 | MPS751RLRAG | 2SA1707S-AN | 2N2596 | H238 | 2N2434 | SBT5551

 

 
Back to Top

 


 
.