RT3A66M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3A66M

Маркировка: AHE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3A66M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3A66M даташит

 ..1. Size:149K  isahaya
 rt3a66m.pdf pdf_icon

RT3A66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A66M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify Application Silicon Pnp Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3A66M is a sillicon PNP epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 FEATURE 1.25 High Vce

Другие транзисторы: MAG9413, MBT2222ADW1T1G, MBT35200MT1G, MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, BC337, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH