Справочник транзисторов. RT3A66M

 

Биполярный транзистор RT3A66M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3A66M
   Маркировка: AHE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT-363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RT3A66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  isahaya
 rt3a66m.pdf pdf_icon

RT3A66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3A66M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify ApplicationSilicon Pnp Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3A66M is a sillicon PNP epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 FEATURE 1.25 High Vce

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.