RT3C66M Todos los transistores

 

RT3C66M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3C66M
   Código: CJE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 72
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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RT3C66M Datasheet (PDF)

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RT3C66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3C66M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify ApplicationSilicon Npn Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3C66M is a sillicon NPN epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 1.25 FEATURE

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History: 2SD1061S | 2SB187

 

 
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