Справочник транзисторов. RT3C66M

 

Биполярный транзистор RT3C66M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3C66M
   Маркировка: CJE
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 72
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для RT3C66M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3C66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  isahaya
 rt3c66m.pdf pdf_icon

RT3C66M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3C66M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Dual Transistor For Differential Amplify ApplicationSilicon Npn Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3C66M is a sillicon NPN epitaxial type dual transistor. It is designed for differential amplify application. 2.1 1.25 FEATURE

Другие транзисторы... MBT35200MT1G , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M , BC337 , RT3C77M , RT3CLLM , RT3CRRM , RT3CXXM , PBSM5240PF , PBSM5240PFH , PBSS2540MB , PBSS3515MB .

 

 
Back to Top

 


 
.