RT3C66M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3C66M

Маркировка: CJE

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 72

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3C66M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3C66M даташит

 ..1. Size:141K  isahaya
 rt3c66m.pdf pdf_icon

RT3C66M

Другие транзисторы: MBT35200MT1G, MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, 2SA1943, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB