RT3C77M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3C77M

Código: C77

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-363

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RT3C77M datasheet

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RT3C77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3C77M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3C77M is compound transistor built with two 2.1 1.25 2SC6046 chips in SC-88 package. FEATURE High collector

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