RT3C77M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RT3C77M
Código: C77
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 75 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de RT3C77M
RT3C77M Datasheet (PDF)
rt3c77m.pdf

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3C77M NoticeThis is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3C77M is compound transistor built with two 2.1 1.25 2SC6046 chips in SC-88 package. FEATURE High collector
Otros transistores... MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M , RT3C66M , 2SA1943 , RT3CLLM , RT3CRRM , RT3CXXM , PBSM5240PF , PBSM5240PFH , PBSS2540MB , PBSS3515MB , PBSS3540MB .
History: BU107 | BC510B | KT312V | 2SC5343EF | CSC2001MAI | CSD1133B | KT3196A-9
History: BU107 | BC510B | KT312V | 2SC5343EF | CSC2001MAI | CSD1133B | KT3196A-9



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement