RT3C77M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3C77M

Маркировка: C77

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3C77M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3C77M даташит

 ..1. Size:121K  isahaya
 rt3c77m.pdf pdf_icon

RT3C77M

PRELIMINARY PRELIMINARY RT3C77M Notice This is not a final specification Some parametric are subject to change. Composite Transistor For General Purpose High Current Drive Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3C77M is compound transistor built with two 2.1 1.25 2SC6046 chips in SC-88 package. FEATURE High collector

Другие транзисторы: MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, TIP122, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB