RT3CRRM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3CRRM

Código: CRR

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 40 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 820

Encapsulados: SOT-363

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RT3CRRM datasheet

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RT3CRRM

RT3CRRM Composite Transistor For Muting Application Silicon Npn Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3CRRM is compound transistor built with two INC2001A chips in SC-88 package. FEATURE Small package for easy mounting. High reverse hFE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=40mV(TYP.) @IC=50mA/IB=2.5mA Low on Resistanc

Otros transistores... MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, 13007, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ