RT3CRRM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3CRRM

Маркировка: CRR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3CRRM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3CRRM даташит

 ..1. Size:175K  isahaya
 rt3crrm.pdf pdf_icon

RT3CRRM

RT3CRRM Composite Transistor For Muting Application Silicon Npn Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3CRRM is compound transistor built with two INC2001A chips in SC-88 package. FEATURE Small package for easy mounting. High reverse hFE Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=40mV(TYP.) @IC=50mA/IB=2.5mA Low on Resistanc

Другие транзисторы: MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, 13007, RT3CXXM, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ