RT3CXXM Todos los transistores

 

RT3CXXM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3CXXM
   Código: CXX
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 50 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 820
   Paquete / Cubierta: SOT-363
     - Selección de transistores por parámetros

 

RT3CXXM Datasheet (PDF)

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RT3CXXM

RT3CXXM Composite Transistor For Muting ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3CXXM is compound transistor built with two INC2002A chips in SC-88 package. FEATURE Small package for easy mounting. High reverse h FESmall collector to emitter saturation voltage. V =40mV (@I =50mA/I =2.5mA) CE(sat) (TYP.) C BLow on Re

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History: 2N259 | MBT3904DW1T3G | NB024FJ | 2SA1015-MS | 2N5786 | RT2P27M | 2N6318

 

 
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