Справочник транзисторов. RT3CXXM

 

Биполярный транзистор RT3CXXM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RT3CXXM
   Маркировка: CXX
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 820
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для RT3CXXM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3CXXM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  isahaya
 rt3cxxm.pdf pdf_icon

RT3CXXM

RT3CXXM Composite Transistor For Muting ApplicationSilicon NPN Epitaxial TypeDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3CXXM is compound transistor built with two INC2002A chips in SC-88 package. FEATURE Small package for easy mounting. High reverse h FESmall collector to emitter saturation voltage. V =40mV (@I =50mA/I =2.5mA) CE(sat) (TYP.) C BLow on Re

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SA916

 

 
Back to Top

 


 
.