RT3CXXM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3CXXM

Маркировка: CXX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 820

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для RT3CXXM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RT3CXXM даташит

 ..1. Size:185K  isahaya
 rt3cxxm.pdf pdf_icon

RT3CXXM

RT3CXXM Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3CXXM is compound transistor built with two INC2002A chips in SC-88 package. FEATURE Small package for easy mounting. High reverse h FE Small collector to emitter saturation voltage. V =40mV (@I =50mA/I =2.5mA) CE(sat) (TYP.) C B Low on Re

Другие транзисторы: MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, BD140, PBSM5240PF, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ, PBSS4021PX