MG9411-R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG9411-R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 260 V
Tensión colector-emisor (Vce): 260 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO-3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar MG9411-R
MG9411-R Datasheet (PDF)
mg9411-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9411, MG9411-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6331 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9411 MG9411-R VCBO Col
mg9410-r.pdf
SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9410, MG9410-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6330 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) MG9410 MG9410-R VCBO Collector Base Voltage -230V -260V VCEO Col
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