MG9411-R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG9411-R  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W

Tensión colector-base (Vcb): 260 V

Tensión colector-emisor (Vce): 260 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 35 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 500 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO-3P

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MG9411-R datasheet

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MG9411-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9411, MG9411-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6331 Designed specifically for audio power amplifier applications Highest Current audio bipolar available on the market with widest Safe Operating Area in TO-3P package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) MG9411 MG9411-R VCBO Col

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MG9411-R

SILICON EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR MG9410, MG9410-R TO-3P Plastic Package Complimentary NPN MG6330 Designed specifically for audio power amplifier applications High Current audio bipolar with wide Safe Operating Area ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) MG9410 MG9410-R VCBO Collector Base Voltage -230V -260V VCEO Col

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