US6T8 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: US6T8 📄📄
Código: T08
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 270
Encapsulados: TUMT6
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US6T8 datasheet
us6t8.pdf
US6T8 Transistors General purpose amplification (-12V, -1.5A) US6T8 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE (sat) -200mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM TUMT6 Abbreviated symbol T08 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Pa
Otros transistores... MG9411-R, MHQ2369AHXV, MHQ2369HX, MHQ2484HX, MHQ3251AHX, MHQ3468HX, MHQ6002HX, MHQ918HX, BC547B, US6T9, US6X7, US6X8, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: AT336 | BCX70H | FJP5027N | 2SA1201-Y | RN2973CT | RN1971FS | 2SC468H
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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