US6T8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: US6T8  📄📄 

Маркировка: T08

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 270

Корпус транзистора: TUMT6

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для US6T8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

US6T8 даташит

 ..1. Size:59K  rohm
 us6t8.pdf pdf_icon

US6T8

US6T8 Transistors General purpose amplification (-12V, -1.5A) US6T8 Dimensions (Unit mm) Application Low frequency amplifier Driver Features 1) A collector current is large. 2) Collector saturation voltage is low. VCE (sat) -200mV At IC = -500mA / IB = -25mA ROHM TUMT6 Abbreviated symbol T08 Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Pa

Другие транзисторы: MG9411-R, MHQ2369AHXV, MHQ2369HX, MHQ2484HX, MHQ3251AHX, MHQ3468HX, MHQ6002HX, MHQ918HX, BC547B, US6T9, US6X7, US6X8, UT3PP, UTV020, UTV040, VT6T1, VT6T11