VT6T1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VT6T1
Código: T1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: VMT6
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar VT6T1
VT6T1 Datasheet (PDF)
vt6t1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VT6T1 / EMT51DatasheetGeneral purpose transister (isolated dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO-20VIC-200mA VT6T1 EMT51(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SAR522 chips in one package.3) Transiste
vt6t11.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Power management (dual transistors) VT6T11 Structure Dimensions (Unit : mm) PNP silicon epitaxial planar transistor VMT60.5 0.11.2 0.1 (6) (5) (4) Features 0 ~ 0.051) Very small package with two transistors. (1) (2) (3)2) Suitable for current mirror circuits. 0.16 0.050.13 0.050.4 0.40.8 0.1 Applications Current mirror circuits Abbreviated
vt6t12.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Power management (dual transistors) VT6T12 Structure Dimensions (Unit : mm) PNP silicon epitaxial planar transistor VMT60.5 0.11.2 0.1 (6) (5) (4) Features 0 ~ 0.051) Very small package with two transistors. (1) (2) (3)2) Suitable for current mirror circuits. 0.16 0.050.13 0.050.4 0.40.8 0.1 Applications Abbreviated symbol : T12Current mirr
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .