VT6X12 Todos los transistores

 

VT6X12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VT6X12
   Código: X12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: VMT6
 

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VT6X12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  rohm
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VT6X12

Power management (dual transistors) VT6X12 Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT60.5 0.11.2 0.1 (6) (5) (4) Features 0 ~ 0.051) Very small package with two transistors. (1) (2) (3)2) Suitable for current mirror circuits. 0.16 0.050.13 0.050.4 0.40.8 0.1 Applications Current mirror circuits Abbreviated

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VT6X12

VT6X1 / EMX51DatasheetPower management (dual transistors)lOutlinelParameter Tr1 and Tr2 VMT6 EMT6VCEO20VIC200mA VT6X1 EMX51(SC-107C) lFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) Two 2SCR522 chips in one package.3) Transister elements are indepe

 9.2. Size:121K  rohm
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VT6X12

Power management (dual transistors) VT6X11 Structure Dimensions (Unit : mm) NPN silicon epitaxial planar transistor VMT60.5 0.11.2 0.1 (6) (5) (4) Features 0 ~ 0.051) Very small package with two transistors. (1) (2) (3)2) Suitable for current mirror circuits. 0.16 0.050.13 0.050.4 0.40.8 0.1 Applications Current mirror circuits Abbreviated

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History: XA161 | PZ3904

 

 
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