WBD13003D Todos los transistores

 

WBD13003D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WBD13003D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 21 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de WBD13003D

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WBD13003D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  winsemi
wbd13003d.pdf pdf_icon

WBD13003D

WBD13003DWBD13003DWBD13003DWBD13003DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics required such

Otros transistores... VT6T12 , VT6T2 , VT6X1 , VT6X11 , VT6X12 , VT6X2 , VT6Z1 , VT6Z2 , 2SC5200 , WBN13002 , WBN13002LD , WBN13003A1 , WBN13003B , WBN13003B2D , WBP13003D , WBP13005D , WBP13005D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.