WBD13003D Todos los transistores

 

WBD13003D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WBD13003D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 21 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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WBD13003D datasheet

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WBD13003D

WBD13003D WBD13003D WBD13003D WBD13003D HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor Features symbol symbol symbol symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode 3.Emitter General Description This Device is designed for high Voltage ,High speed switching Characteristics required such

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