WBD13003D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WBD13003D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для WBD13003D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WBD13003D даташит

 ..1. Size:256K  winsemi
 wbd13003d.pdf pdf_icon

WBD13003D

WBD13003D WBD13003D WBD13003D WBD13003D HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor Features symbol symbol symbol symbol Very High Switching Speed 2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode 3.Emitter General Description This Device is designed for high Voltage ,High speed switching Characteristics required such

Другие транзисторы: VT6T12, VT6T2, VT6X1, VT6X11, VT6X12, VT6X2, VT6Z1, VT6Z2, BD222, WBN13002, WBN13002LD, WBN13003A1, WBN13003B, WBN13003B2D, WBP13003D, WBP13005D, WBP13005D1