Справочник транзисторов. WBD13003D

 

Биполярный транзистор WBD13003D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: WBD13003D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-252
 

 Аналог (замена) для WBD13003D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WBD13003D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  winsemi
 wbd13003d.pdf pdf_icon

WBD13003D

WBD13003DWBD13003DWBD13003DWBD13003DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics required such

Другие транзисторы... VT6T12 , VT6T2 , VT6X1 , VT6X11 , VT6X12 , VT6X2 , VT6Z1 , VT6Z2 , 2SC5200 , WBN13002 , WBN13002LD , WBN13003A1 , WBN13003B , WBN13003B2D , WBP13003D , WBP13005D , WBP13005D1 .

History: 2SA905

 

 
Back to Top

 


 
.