FHC127 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHC127 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
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FHC127 datasheet
fhc127.pdf
FHC127(MJF127) PNP PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CEO ICE=100mA 100 V V(BR) CBO ICB=100mA 100 V V(BR) EBO IEB=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 mA ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA
fhc122e.pdf
FHC122E PNP PCM TA=25 300 mW IC 50 mA Tjm 175 Tstg -55 175 IC VCEO 20 V 0.1mA IE VCBO 25 V 0.1mA ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C
Otros transistores... FH309, FH317, FH6298, FH681, FHC050, FHC100, FHC11021, FHC122E, A1013, FHC150, FHC30, FHC50, FHC6287, FHC70, FHD010, FHD020, FHD030
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 2N3843A | RN2709JE | WT4321-25
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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