Биполярный транзистор FHC127 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FHC127
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO-220 TO-257
FHC127 Datasheet (PDF)
..1. Size:130K china
fhc127.pdf
fhc127.pdf
FHC127(MJF127) PNP PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CEO ICE=100mA 100 V V(BR) CBO ICB=100mA 100 V V(BR) EBO IEB=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 mA ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA
9.1. Size:108K china
fhc122e.pdf
fhc122e.pdf
FHC122E PNP PCM TA=25 300 mW IC 50 mA Tjm 175 Tstg -55~175 ICVCEO 20 V 0.1mA IEVCBO 25 V 0.1mA ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050