FHD050 Todos los transistores

 

FHD050 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD050
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 500
   Paquete / Cubierta: TO-3
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHD050 Datasheet (PDF)

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FHD050

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China FHD050NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: UMS1N | BDT86F | 2SD1702 | 2N3421LCC4 | 2SA243 | BC266B

 

 
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