FHD122 Todos los transistores

 

FHD122 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD122
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO-252 TO-220 TO-257
     - Selección de transistores por parámetros

 

FHD122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  china
 fhd122.pdf pdf_icon

FHD122

FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V

 9.1. Size:107K  china
 fhd128b.pdf pdf_icon

FHD122

FHD128B NPN PCM TA=25 700 mW IC 800 mA Tjm 175 Tstg -55~175 VCEO ICE0.1mA 20 V VCBO ICB0.1mA 25 V ICEO VCE=10V 5.0 A IC=100mA VCEsat 1.5 V IB=1mA VCE=1V hFE 1000 IC=100mA 1. E 2. B 3. C

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 fhu120n03c fhd120n03c.pdf pdf_icon

FHD122

N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC3667Y | 2SC3355 | S2989 | 2N233A | 2G222 | 2N964 | DTL1637

 

 
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