FHD122 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FHD122 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для FHD122
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
FHD122 даташит
fhd122.pdf
FHD122(MJF122) NPN PCM Tc=25 30 W ICM 5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR) CBO ICB=20mA 100 V V(BR) CEO ICE=20mA 100 V V(BR)EBO ICE=20mA 5 V IEBO VEB=5V 2.0 V ICBO VCB=100V 0.01 mA ICEO VCE=50V 0.01 mA IC=3A VCEsat 2.0 V IB=12mA V
fhu120n03c fhd120n03c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU120N03C/FHD120N03C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 120 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 120pF) Low Crss (typical 120pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 3.0m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.7m 100% 100% avalanche teste
Другие транзисторы: FHC70, FHD010, FHD020, FHD030, FHD050, FHD075, FHD100, FHD11032, TIP2955, FHD128B, FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: 2SD2671 | DTC023JEB | NB213YX
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427



