FHD70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHD70 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 500
Encapsulados: TO-3
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de FHD70
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FHD70 datasheet
fhd70.pdf
FHD70 NPN B C D E F G PCM Tc=25 70 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 2.5 V I
fhu70n03a fhd70n03a.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested
Otros transistores... FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, 2N2907, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401, DMC904F0
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: MUN5116T1G | BLT61
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115


