FHD70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FHD70  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500

Корпус транзистора: TO-3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FHD70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FHD70 даташит

 ..1. Size:135K  china
 fhd70.pdf pdf_icon

FHD70

FHD70 NPN B C D E F G PCM Tc=25 70 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 2.5 V I

 0.1. Size:708K  feihonltd
 fhu70n03a fhd70n03a.pdf pdf_icon

FHD70

N N-CHANNEL MOSFET FHU70N03A/FHD70N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 68 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.4m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 10.8m 100% 100% avalanche tested

Другие транзисторы: FHD150, FHD228G, FHD30, FHD4035, FHD491, FHD50, FHD6058, FHD651, 2N2907, FHD8766, FJB5555, FJL6920, DMA30401, DMA90401, DMC30401, DMC90401, DMC904F0