FJP5200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJP5200
Código: J5200R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FJP5200
FJP5200 Datasheet (PDF)
..1. Size:672K fairchild semi
fjp5200.pdf
fjp5200.pdf
January 2009FJP5200NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features1 High Current Capability: IC = 17A. High Power Dissipation : 80watts.TO-220 High Frequency : 30MHz.1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage : VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Gai
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
