FJP5200 Todos los transistores

 

FJP5200 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FJP5200
   Código: J5200R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FJP5200 Datasheet (PDF)

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FJP5200

January 2009FJP5200NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features1 High Current Capability: IC = 17A. High Power Dissipation : 80watts.TO-220 High Frequency : 30MHz.1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage : VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Gai

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