FJP5200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FJP5200
Código: J5200R
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 17 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 55
Paquete / Cubierta: TO-220
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FJP5200 datasheet
fjp5200.pdf
January 2009 FJP5200 NPN Epitaxial Silicon Transistor Applications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features 1 High Current Capability IC = 17A. High Power Dissipation 80watts. TO-220 High Frequency 30MHz. 1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Gai
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History: TSC143ENND03
History: TSC143ENND03
Liste
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