FJP5200 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FJP5200  📄📄 

Маркировка: J5200R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для FJP5200

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FJP5200 даташит

 ..1. Size:672K  fairchild semi
 fjp5200.pdf pdf_icon

FJP5200

January 2009 FJP5200 NPN Epitaxial Silicon Transistor Applications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features 1 High Current Capability IC = 17A. High Power Dissipation 80watts. TO-220 High Frequency 30MHz. 1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Gai

Другие транзисторы: DTA114WCA, EMF23, EMF24, EMF5, FJP13009H2TU, FJP1943, FJP2145, FJP2160D, S8050, FJPF2145, FJX992, FML10, FML9, FMMT413, FMMT42CSM, FMMT42DCSM, FMMT591CSM