Биполярный транзистор FJP5200 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: FJP5200
Маркировка: J5200R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO-220
FJP5200 Datasheet (PDF)
..1. Size:672K fairchild semi
fjp5200.pdf
fjp5200.pdf
January 2009FJP5200NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features1 High Current Capability: IC = 17A. High Power Dissipation : 80watts.TO-220 High Frequency : 30MHz.1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage : VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excellent Gai
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050