FTD1989 Todos los transistores

 

FTD1989 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTD1989
   Código: DF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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FTD1989 datasheet

 ..1. Size:100K  first silicon
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FTD1989

SEMICONDUCTOR FTD1898 TECHNICAL DATA A C H G FTD1898 TRANSISTOR (NPN) FEATURES D D K High Breakdown Voltage and Current F F DIM MILLIMETERS Excellent DC Current Gain Linearity A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 Complement the FTB1260 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 Low Collector-Emitter Saturation Voltage E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE H 1.7 MA

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History: BCPA14 | BFT58DCSM

 

 

 


 
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